ウエハプロセス技術エンジニア
未来のパワー半導体デバイスを開発する

2017年 入社
情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 修了

大学の研究室では化合物半導体の研究に従事。クリーンルームに入り、半導体デバイスの作製や評価を行っていた。研究内容を活かすために就職先は半導体業界を志望し、特に自社で半導体の研究から製造まで行っている会社を希望してルネサスエレクトロニクスに入社。大学の共同研究で社員と出会っていたこともあり、技術力の高さと人材の優秀さには在学中から惹かれていた。

私の仕事とミッション

パワー半導体デバイスは主に電気自動車のモーターを動かす駆動用装置などに使用されるものであり、私はこうしたパワー半導体の一種であるIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) のデバイス技術開発に携わっています。IGBTとは電気自動車の急速充電器や、再生可能エネルギーの電力変換にも使われる大電流・高電圧用途向けの半導体であり、私はデバイスの構造設計や作製したデバイスの電気特性評価・構造解析評価、シミュレーションを行い、より性能の良い半導体デバイスの開発をめざしています。開発の流れとしては、まず製品設計部門からの依頼を受けて開発を行い、それから工場部門に細かい条件などを指示しています。工場部門が近く連携しやすいため、互いの意見を交換しながらより良いものを追求することができるのは当社の強みの一つです。

この仕事の醍醐味

私が携わっている製品は、5年後や10年後の未来に量産される次世代のパワー半導体デバイスです。スパンの長い仕事ですが、自分の開発した半導体がやがて世の中で使用され、より暮らしやすい世界を実現することを考えると、自然とモチベーションが高まります。お客さまに求められるものをつくって世の中に貢献できるというのは、研究室時代との大きな違いです。未来のデバイスの開発なので、まだ誰も遭遇していない現象や予期せぬ不具合に出くわすこともあります。例えば以前、意図せず電流が漏れ出してしまうリーク電流が増加しているという問題がありました。何度か試作を繰り返しながらも原因がわからずにいたのですが、私がある条件を変えて構造評価を行ったところ、その条件とリーク電流の量と間に相関性が見られ、原因を突き止めることに成功しました。こうした問題の原因を一つずつ見つけていくのはやりがいがありますし、大きな達成感も感じられます。

これからの成長

現在のパワー半導体開発技術をより深く突き詰めていくのはもちろんですが、設計分野などの仕事も経験したいと考えています。私は研究室での経験もあり、半導体をつくる一連の流れは理解していますが、組み立てや評価などはまだわからないことも多くあります。ですが自分たちの仕事の範囲以外のことも学べば、今の仕事のレベルもより高めることができるでしょう。また、ものづくりに携わる人間として、特許も数多く申請していきたいと思っています。現在の業務のほか、私は半導体の新しい材料を検討する新規プロジェクトにも携わらせてもらっています。今後もこうした新しいプロジェクトには積極的に挑戦していきたいと思います。

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